- Primera solución del mundo para integrar transistores de potencia GaN y controlador Si en un solo paquete
- Permite cargadores y adaptadores un 80% más pequeños y un 70% más livianos, mientras se cargan 3 veces más rápido en comparación con las soluciones ordinarias basadas en silicio
STMicroelectronics ha introducido una plataforma que incorpora un controlador de medio puente basado en tecnología de silicio junto con un par de transistores de nitruro de galio (GaN). La combinación acelerará la creación de cargadores y adaptadores de corriente compactos y eficientes de próxima generación para aplicaciones industriales y de consumo de hasta 400W.
La tecnología GaN permite que estos dispositivos manejen más energía incluso cuando se vuelven más pequeños, más livianos y más eficientes energéticamente. Permite cargadores y adaptadores un 80% más pequeños y un 70% más ligeros mientras se cargan 3 veces más rápido en comparación con las soluciones ordinarias basadas en silicio. Estas mejoras marcarán la diferencia para los cargadores ultrarrápidos y los cargadores inalámbricos de teléfonos inteligentes, los adaptadores compactos USB-PD para PC y juegos, así como en aplicaciones industriales como sistemas de almacenamiento de energía solar, fuentes de alimentación ininterrumpida o televisores OLED de alta gama y nube del servidor.
El mercado actual de GaN generalmente está servido por transistores de potencia discretos y circuitos integrados de controladores que requieren que los diseñadores aprendan cómo hacer que funcionen juntos para obtener el mejor rendimiento. El enfoque MasterGaN de ST pasa por alto ese desafío, lo que resulta en un tiempo de comercialización más rápido y un rendimiento asegurado, junto con una huella más pequeña, un ensamblaje simplificado y una mayor confiabilidad con menos componentes. Con la tecnología GaN y las ventajas de los productos integrados de ST, los cargadores y adaptadores pueden reducir el 80% del tamaño y el 70% del peso de las soluciones ordinarias basadas en silicio.
ST está lanzando la nueva plataforma con MasterGaN1, que contiene dos transistores de potencia GaN conectados como medio puente con controladores integrados de lado alto y lado bajo.
MasterGaN1 ya está en producción, en un paquete GQFN de 9 mm x 9 mm de solo 1 mm de altura. Con un precio de $ 7 para pedidos de 1,000 unidades, está disponible a través de distribuidores. También hay disponible una placa de evaluación para ayudar a impulsar los proyectos de energía de los clientes.
Más información técnica
La plataforma MasterGaN aprovecha los controladores de puerta STDRIVE 600V y los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) de GaN. El paquete GQFN de perfil bajo de 9 mm x 9 mm garantiza una alta densidad de potencia y está diseñado para aplicaciones de alto voltaje con una distancia de fuga de más de 2 mm entre los pads de alto y bajo voltaje.
La familia de dispositivos abarcará diferentes tamaños de transistores GaN (RDS (ON)) y se ofrecerá como productos de medio puente compatibles con pines que permitirán a los ingenieros escalar diseños exitosos con cambios mínimos de hardware. Aprovechando las bajas pérdidas de encendido y la ausencia de recuperación de diodos corporales que caracterizan a los transistores de GaN, los productos ofrecen una eficiencia superior y una mejora del rendimiento general en topologías de alta eficiencia y alta eficiencia, como flyback o forward con abrazadera activa, tótem resonante y sin puentes. PFC (corrector de factor de potencia) de polos y otras topologías de conmutación suave y dura utilizadas en convertidores CA / CC y CC / CC e inversores CC / CA.
El MasterGaN1 contiene dos transistores normalmente apagados que cuentan con parámetros de tiempo muy parecidos, una clasificación de corriente máxima de 10 A y una resistencia de encendido de 150 mΩ (RDS (ON)). Las entradas lógicas son compatibles con señales de 3.3V a 15V. También se incorporan características de protección integrales, que incluyen protección UVLO de lado bajo y lado alto, enclavamiento, un pin de apagado dedicado y protección contra sobrecalentamiento.