Ampleon lanzó un transistor de potencia RF de 750 W de alta eficiencia BLF0910H9LS750P que minimiza la cantidad de energía que usa para entregar una potencia de salida determinada, reduciendo los costos operativos, disminuyendo la disipación de calor, permitiendo soluciones de enfriamiento más simples y de menor costo, sistemas más compactos y, por lo tanto, menor fabricación costos. El transistor ofrece una eficiencia del 72,5% a 915 MHz con un diseño resistente que lo hace ideal para aplicaciones como aplicaciones profesionales de energía de RF.
El nuevo transistor de potencia de RF ofrece capacidades de banda ancha que permiten un mejor control y flexibilidad en la operación. La entrada acoplada previamente de Transistor facilita la integración en aplicaciones finales. El BLF0910H9LS750P está diseñado para aplicaciones de CW de alta potencia y está ensamblado en un paquete de cerámica de alto rendimiento.
El BLF0910H9LS750P tiene las siguientes características:
- Alta eficiencia
- Fácil control de potencia
- Excelente robustez
- Protección ESD integrada
- Diseñado para operación de banda ancha (902 MHz a 928 MHz)
- Entrada coincidente internamente
Las muestras y la cantidad de producción de BLF0910H9LS750P ya están disponibles en Ampleon y distribuidores, incluidos Digikey y RFMW.