Vishay Intertechnology lanzó un nuevo MOSFET TrenchFET Gen IV de 60 V de canal N Siliconix SiR626DP con paquete único PowerPAK SO-8 de 6,15 mm x 5,15 mm. El Vishay Siliconix SiR626DP ofrece un 36% menos de resistencia que su versión anterior. Combina una resistencia de encendido máxima de hasta 1,7 mW con una carga de puerta ultrabaja de 52 nC a 10 V. También incluye carga de salida de 68nC y C OSS de 992pF que es un 69% menor que sus versiones anteriores.
El SiR626DP tiene un RDS muy BAJO (fuente de drenaje en resistencia) que aumenta la eficiencia en aplicaciones como rectificación síncrona, interruptor primario y secundario, convertidores CC / CC, microconvertidor solar e interruptor de accionamiento de motor. El paquete es plomo (Pb) y libre de halógenos con 100% R G.
Las características clave incluyen:
- V DS: 60 V
- V GS: 20 V
- R DS (ENCENDIDO) a 10 V: 0,0017 ohmios
- R DS (ENCENDIDO) a 7,5 V: 0,002 ohmios
- R DS (ENCENDIDO) a 6 V: 0,0026 ohmios
- Q g a 10 V: 68 nC
- Q gs: 21 nC
- Q gd: 8,2 nC
- I D Max.: 100 A
- P D Máx.: 104 W
- V GS (th): 2 V
- Tipo R g.: 0,91 ohmios
Las muestras del SiR626DP están disponibles y las cantidades de producción están disponibles con plazos de entrega de 30 semanas sujetos a las situaciones del mercado.