En agosto, Toshiba comienza la producción en masa y los envíos de sus MOSFET de potencia de canal N de 40 V, “ TPWR7904PB ” y “ TPW1R104PB ”, para aplicaciones automotrices. Estarán disponibles en paquetes DSOP Advance (WF) que vienen con enfriamiento de doble cara, baja resistencia y tamaño pequeño.
Los MOSFET de potencia aseguran una alta disipación de calor y características de baja resistencia al montar un chip de la serie U-MOS IX-H, que viene con la última estructura de zanja, en un paquete DSOP Advance (WF). Permite que el calor generado por la pérdida de conducción se disipe de manera efectiva, mejorando la flexibilidad del diseño térmico.
Los MOSFET de la serie U-MOS IX-H también ofrecen un ruido de conmutación más bajo que la serie U-MOS IV anterior de Toshiba, lo que contribuye a una EMI más baja. El paquete DSOP Advance (WF) tiene una estructura de terminal de flanco humectable.
Los dispositivos están calificados para AEC-Q101, por lo que son adecuados para aplicaciones automotrices; y comprenden características tales como paquete de enfriamiento de doble cara con placa superior y drenaje, visibilidad mejorada del AOI debido a la estructura del flanco humectable y características de baja resistencia y bajo ruido. Se pueden utilizar en aplicaciones automotrices como dirección asistida eléctrica, interruptores de carga y bombas eléctricas.
Especificaciones principales (@T a = 25 ℃)
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Número de pieza |
Índices absolutos máximos |
Fuente de drenaje On-resistencia R DS (ON) máx. (MΩ) |
Diodo Zener incorporado entre Gate-Source |
Serie |
Paquete |
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Tensión de drenaje V DSS (V) |
Corriente de drenaje (CC) I D (A) |
@V GS＝ 6V |
@V GS = 10V |
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TPWR7904PB |
40 |
150 |
1.3 |
0,79 |
No |
U-MOS IX-H |
DSOP Advance (WF) L |
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TPW1R104PB |
120 |
1,96 |
1,14 |
DSOP Advance (WF) M |