Vishay Intertechnology presentó su nuevo MOSFET de canal N de cuarta generación llamado SiHH068N650E. Este Mosfet de la serie E de 600 V tiene una resistencia de ENCENDIDO de la fuente de drenaje muy baja, lo que lo convierte en el dispositivo de resistencia con tiempos de carga de puerta más bajo de la industria, esto proporciona al MOSFET de alta eficiencia adecuado para aplicaciones de suministro de energía de telecomunicaciones, industriales y empresariales.
El SiHH068N60E presenta una baja resistencia de encendido típica de 0.059 Ω a 10 V y una carga de compuerta ultrabaja de hasta 53 nC. El FOM del dispositivo de 3,1 Ω * nC se utiliza para mejorar el rendimiento de conmutación, el SiHH068N60E proporciona capacitancias de salida efectivas bajas C o (er) y C o (tr) de 94 pf y 591 pF, respectivamente. Estos valores se traducen en pérdidas de conducción y conmutación reducidas para ahorrar energía.
Características clave de SiHH068N60E:
- MOSFET de canal N
- Voltaje de la fuente de drenaje (V DS): 600 V
- Voltaje de fuente de puerta (V GS): 30 V
- Voltaje de umbral de puerta (V gth): 3V
- Corriente máxima de drenaje: 34A
- Resistencia de la fuente de drenaje (R DS): 0.068Ω
- Qg a 10 V: 53 nC
El MOSFET viene en un paquete PowerPAK 8 × 8 que cumple con RoHS, no contiene halógenos y está diseñado para soportar transitorios de sobretensión en modo de avalancha. Las muestras y las cantidades de producción del SiHH068N60E están disponibles ahora, con plazos de entrega de 10 semanas. Puede visitar su sitio web para obtener más información.