Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ha presentado GT20N135SRA, un IGBT discreto de 1350 V para cocinas IH de sobremesa, ollas arroceras IH, hornos microondas y otros electrodomésticos que utilizan circuitos de resonancia de voltaje. El IGBT presenta un voltaje de saturación colector-emisor de 1,75 V y un voltaje directo de diodo de 1,8 V, que es aproximadamente un 10% y un 21% más bajo, respectivamente, que para el producto actual.
Tanto el IGBT como el diodo tienen características mejoradas de pérdida de conducción a alta temperatura (T C = 100 ℃), y el nuevo IGBT puede ayudar a reducir el consumo de energía del equipo. También presenta una resistencia térmica de unión a caja de 0.48 ℃ / W aproximadamente un 26% menor que la de los productos actuales, lo que permite diseños térmicos más fáciles.
Características de GT20N135SRA IGBT
- Pérdida de conducción baja:
VCE (sat) = 1.6V (típ.) (@ IC = 20A, VGE = 15V, Ta = 25 ℃)
VF = 1.75V (típ.) (@ IF = 20A, VGE = 0V, Ta = 25 ℃)
- Baja resistencia térmica entre la unión y la caja: Rth (jC) = 0,48 ℃ / W (máx.)
- Suprime la corriente de cortocircuito que fluye a través del condensador de resonancia cuando el equipo está encendido.
- La amplia zona de operaciones segura
El nuevo IGBT puede suprimir la corriente de cortocircuito que fluye a través del condensador de resonancia cuando el equipo está encendido. El valor pico de la corriente de su circuito es 129A, aproximadamente un 31% de reducción con respecto al producto actual. El GT20N135SRA facilita el diseño del equipo en comparación con otros productos similares disponibles en la actualidad, ya que se amplía su área de operación segura. Para obtener más detalles sobre GT20N135SRA, visite el sitio web oficial de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation.