Mouser Electronics ahora tiene en existencia el controlador MOSFET de medio puente y GaN FET LMG1210 de 200 V de Texas Instruments (TI). Como parte de la familia de cartera de energía de nitruro de galio (GaN) líder en la industria de TI, el LMG1210 permite una mayor eficiencia, una mayor densidad de energía y un tamaño general del sistema más bajo en comparación con las alternativas tradicionales basadas en silicio, y está optimizado específicamente para aplicaciones de conversión de energía de velocidad crítica.
El TI LMG1210 es un controlador de medio puente de 50 MHz diseñado para funcionar con FET de GaN en modo de mejora de hasta 200 V. Diseñado para un rendimiento máximo y una operación altamente eficiente, el LMG1210 presenta un retardo de propagación ultrarrápido de 10 ns, que es más rápido que los controladores de medio puente de silicio tradicionales. El dispositivo también proporciona una capacitancia de nodo de conmutación baja de 1 pF con control de tiempo muerto ajustable por el usuario que ayuda a mejorar la eficiencia al permitir a los diseñadores optimizar el tiempo muerto dentro de su sistema.
El LMG1210 ofrece ajuste de retardo de lado alto a lado bajo de 3.4 ns, un ancho de pulso mínimo de 4 ns y un LDO interno que asegura un voltaje de accionamiento de puerta de 5 V independientemente del voltaje de suministro. El controlador también incluye una inmunidad transitoria de modo común (CMTI) de más de 300 V / ns, una de las más altas de la industria, que permite una alta inmunidad al ruido del sistema.
El controlador LMG1210 de TI es ideal para una amplia gama de aplicaciones, incluidos convertidores CC / CC de alta velocidad, control de motores, amplificadores de audio de clase D, carga inalámbrica de clase E, seguimiento de envolvente de RF y otras aplicaciones de conversión de potencia.
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