Nexperia ha presentado una nueva familia de MOSFET de canal P de 30 V-60 V en el paquete robusto y que ahorra espacio LFPAK56 (Power-SO8) con un RDS (encendido) de hasta 10 mΩ (30 V). Los MOSFET calificados AEC-Q101 son adecuados para aplicaciones automotrices, también actúan como un reemplazo ideal para los MOSFET DPAK y ofrecen una reducción en la huella del 50% mientras mantienen niveles de alto rendimiento.
El paquete LFPAK está diseñado con una estructura de clip de cobre y se ha demostrado que es significativamente más confiable que el requisito del estándar AEC, superando la prueba de confiabilidad clave en 2x, mientras aumenta la confiabilidad a nivel de placa debido a la construcción única del paquete. Los MOSFET de canal P están diseñados en la cartera LFPAK56 debido a la demanda industrial. Los nuevos MOSFET de canal P se pueden usar en estaciones base 5G y aplicaciones automotrices, como protección de polaridad inversa y se pueden usar como un interruptor lateral alto para el ajuste del asiento, el techo corredizo y la operación de ventanas.