Texas Instruments anunció una nueva cartera de etapas de potencia de nitruro de galio (GaN) de 600 V, 50 mΩ y 70 mΩ listas para usar para admitir aplicaciones de hasta 10 kW. La familia LMG341x permite a los diseñadores crear diseños más pequeños, más eficientes y de mayor rendimiento en comparación con los transistores de efecto de campo de silicio (FET) en fuentes de alimentación de CA / CC, robótica, energía renovable, infraestructura de red, telecomunicaciones y aplicaciones de electrónica personal.
La familia de dispositivos GaN FET de TI proporciona una alternativa inteligente a los tradicionales GaN FET en cascada e independientes al integrar características funcionales y de protección únicas para simplificar el diseño, permitir una mayor confiabilidad del sistema y optimizar el rendimiento de las fuentes de alimentación de alto voltaje. Con limitación de corriente integrada de <100 ns y detección de sobrecalentamiento, los dispositivos protegen contra eventos de disparos no deseados y evitan la fuga térmica, mientras que las señales de la interfaz del sistema permiten una capacidad de autocontrol.
Características y beneficios clave de los modelos LMG3410R050, LMG3410R070 y LMG3411R070
• Soluciones más pequeñas y eficientes: la etapa de potencia GaN integrada de TI duplica la densidad de potencia y reduce las pérdidas en un 80 por ciento en comparación con los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de silicio (MOSFET). Cada dispositivo es capaz de frecuencias de conmutación rápidas de 1 MHz y velocidades de respuesta de hasta 100 V / ns.
• Confiabilidad del sistema: la cartera está respaldada por 20 millones de horas de pruebas de confiabilidad de dispositivos, incluidas pruebas de interruptores físicos aceleradas y en la aplicación. Además, cada dispositivo proporciona protección térmica integrada y de alta velocidad de sobrecorriente de 100 ns contra condiciones de disparo directo y cortocircuito.
• Dispositivos para cada nivel de potencia: cada dispositivo de la cartera ofrece un FET de GaN, funciones de controlador y protección a 50 mΩ o 70 mΩ para proporcionar una solución de chip único para aplicaciones que van desde menos de 100 W a 10 kW.
Paquete, disponibilidad y precio
Estos dispositivos están disponibles ahora en la tienda de TI en un paquete de almohadilla dividida de 8 mm por 8 mm, cuádruple plano sin plomo (QFN). Los modelos LMG3410R050, LMG3410R070 y LMG3411R070 tienen un precio de US $ 18,69, $ 16,45 y $ 16,45, respectivamente, en cantidades de 1000 unidades.