Infineon Technologies presenta una nueva generación TRENCHSTOP ™ IGBT6 de 1200 V IGBT. Fabricada en tamaño de oblea de 12 pulgadas, la nueva tecnología IGBT está diseñada para abordar los crecientes requisitos de los clientes en cuanto a alta eficiencia y alta densidad de potencia. Se optimizó para su uso en topologías de conmutación dura y resonantes que operan a frecuencias de conmutación de 15 kHz a 40 kHz, destinadas a ser utilizadas en aplicaciones como sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), inversores solares, cargadores de baterías y almacenamiento de energía.
El TRENCHSTOP IGBT6 de 1200 V se presenta en dos familias, la serie S6 presenta la mejor compensación entre un voltaje de saturación bajo de V CE (sat) de 1,85 V y bajas pérdidas de conmutación. La serie H6 está optimizada para bajas pérdidas de conmutación. Las pruebas de aplicación confirman que reemplazar el IGBT predecesor Highspeed3 con la nueva serie IGBT6 S6 mejora la eficiencia en un 0.2 por ciento. El coeficiente de temperatura positivo permite una conexión en paralelo de dispositivos fácil y confiable, junto con una buena capacidad de control R g permite ajustar la velocidad de conmutación del IGBT de acuerdo con la necesidad de la aplicación.
Actualmente, las familias IGBT6 están en producción en serie. La cartera de productos comprende 15A y 40A empaquetados conjuntamente con un diodo de rueda libre de potencia media o completa en un paquete TO-247-3. La variante de 75 A empaquetada con un diodo de rueda libre de 75 A en un paquete TO-247PLUS de 3 o 4 pines proporciona una densidad de corriente para un IGBT discreto.